氩气作为半导体制造的特种气体,凭借其化学惰性和低电离能特性,在多个关键工艺环节发挥不可替代的作用:
在光刻、封装等精密工艺中,氩气作为保护气可隔绝空气中的氧气和水分,防止硅晶圆表面氧化或污染。例如,在晶圆切割和键合过程中,高纯度氩气氛围能将氧化率降低至0.1%以下,直接影响芯片良率。
离子注入:作为载体气体与等离子体源,氩气帮助掺杂剂离子(如硼、磷)精确注入硅片,控制晶体管导电性。其浓度稳定性直接影响离子注入深度偏差(要求≤±0.5%)。
溅射沉积:在金属布线工艺中,氩等离子体轰击靶材(如铜、铝),使金属原子沉积形成薄膜,氩气纯度需达到99.999%以上,否则会导致薄膜电阻率上升30%以上。
在光刻胶剥离、气相沉积等真空腔体中,氩气用于维持特定压力环境(通常1-10Pa),并作为吹扫气体清除残留反应物,其流量波动需控制在±2%以内。
安全挑战:氩气无色无味且比空气重(密度1.78kg/m³),泄漏后易在设备底部积聚,导致局部缺氧(氧含量<19.5%),引发人员窒息风险;同时,工艺中氩气浓度异常可能导致薄膜沉积速率波动,造成批次性产品缺陷。
1测量范围:0-100% Vol(泄漏与高浓度纯度监测),满足从管道泄漏检测到工艺气体纯度分析的全场景需求。
响应速度:T90≤20秒,采用进口长寿命传感器配合深国安温湿度补偿算法,
采样方式:内置进口真空泵(流量500ml/min),支持1米伸缩采样杆,可深入反应腔体内或设备底部等狭小空间检测。
抗干扰设计:IP67防护等级(便携式)、Exd II CT6防爆认证(固定式),纳米涂层气室有效抵御光刻胶蒸汽、腐蚀性气体侵蚀。
多参数集成:可同时检测氩气浓度、温湿度、PM2.5等10项指标,支持VOCs、氧气等气体扩展,满足工艺关联性分析。
数据追溯:10万条数据存储(支持USB/无线导出),配合上位机软件可生成浓度趋势曲线,助力工艺优化(如溅射速率与氩气浓度关联性分析)。